МУЛЬТИСКАНОВАЯ ИДЕНТИФИКАЦИЯ МОДЕЛЕЙ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ РЕЛАКСАЦИИ ЕМКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР

В.П. Крылов, А.М. Богачев, Т.Ю. Пронин, А.А. Мищенко
(г. Владимир, Владимирский государственный университет
им. А.Г. и Н.Г. Столетовых)

Обсуждаются возможности одновременного использования нескольких частотных сканов для параметрической идентификации моделей процессов релаксации емкости барьерной полупроводниковой структуры.
The possibilities of simultaneous use of several frequency scans for parametric identification of models of capacitance relaxation processes of a barrier semiconductor structure are discussed.

Ключевые слова: релаксационная спектроскопия глубоких уровней (РСГУ), частотное сканирование, мультискан.
Keywords: deep-level transient spectroscopy (DLTS), frequency scan, multiskan.