Завершена разработка автоматического тестера IGBT

Завершена разработка и выполнено изготовление автоматического тестера динамических параметров силовых полупроводниковых модулей и быстровосстанавливающихся диодов Морион-1. Тестеры могут функционировать как в автономном режиме, так и в составе тестового измерительного комплекса.

Показатели назначения:

Тестер обеспечивает измерение и вычисление следующих параметров (временных с точностью до 2 нс):

• время обратного восстановления диода tобр.вос;
• время задержки включения tз.вкл;
• время нарастания tнар;
• время задержки выключения tз.выкл;
• время спада tсп.
• время включения tвкл;
• время выключения tвыкл;
• энергию включения Eвкл;
• энергию выключения Eвыкл;
• заряд обратного восстановления Qобр.

Диапазон напряжений: 300-900 В +-0,5%

Диапазон токов: 10-400 А  (скорость спада тока dI/dt = 1100 А/мкс)

Длительность импульса: 10-350 мкс

Задание импульсного напряжения затвора: -10/+15В, 1-350 мкс, минимальная скважность 1000

Максимальная амплитуда выбросов импульсных напряжений и токов: не более 10%

Управление тестером осуществляется от персонального компьютера по протоколу ModBus RTU.

Тестер работает под управлением контроллера с ядром ARM ST32F407VG и позволяет реализовать практически любые алгоритмы выполнения измерений.

Измерительные каналы построены на базе двухканального 8 битного АЦП ЛА-н1USB производства ЗАО "Руднев-Шиляев"с частотой дискретизации до 2ГГц.